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E
3.1.1
读
智能3高级启动块，字宽
闪速存储器具有三个可用的读取模式：
读阵列，读取识别和读取状态。这些
模式是V的独立访问
PP
电压。必须在适当的读模式命令
发给崔输入对应的
模式。在初始器件上电或退出后
从深度掉电模式下，器件
自动默认为读阵列模式。
CE ＃和OE ＃必须驱动为有效获取数据
在输出端。 CE ＃是设备选择控制;
活性时，它可以使闪存设备。
OE＃为数据输出（DQ
0
-DQ
15
）控制，它
驱动器所选择的存储的数据到I / O总线。
对于所有的阅读方式， WE＃和RP ＃必须在V
IH
.
图15示出了一个读周期。
3.1.2
输出禁用
从掉电，时间t后的回报
PHQV
is
为止所需的初始存储器存取输出
有效的。延迟（T
PHWL
或T
PHEL
）后，需要
从掉电前一个写序列回归
可以启动。此唤醒间隔后，正常
操作被恢复。崔重置读取阵列
模式和状态寄存器设置为80H （准备好） 。
如果RP ＃被拉低的时间t
PLPH
在节目
或擦除操作，该操作将被中止
并在中止的位置存储内容
不再有效。从中止回国后
操作时，时间t
PHQV
或T
PHWL
/t
PHEL
必须满足
启动一个读或写操作之前
分别。
3.1.5
写
用OE ＃为逻辑高电平（V
IH
） ，该装置
输出被禁止。输出管脚DQ
0
-DQ
15
是
置于高阻抗状态。
3.1.3
待机
写的是改变内容的任何命令
存储器阵列。有两个写入命令：
程序（ 40H ）和删除（ 20H ） 。写作任
这些命令的内部命令用户
界面（CUI ）启动内部可序列
定时功能达到高潮完成
所请求的任务（除非该操作被中止
由任RP ＃被驱动到V
IL
对于T
PLRH
或
适当的暂停命令） 。
该命令的用户界面不占用
可寻址的存储器位置。相反，命令
被写入到使用标准崔
微处理器写时序时， WE＃和CE ＃
低， OE ＃ = V
IH
和正确的地址和
数据（命令）给出。该命令是
锁存的第一WE＃或CE ＃上升沿
脉冲，以先到为准。图16示出了
写操作。
设备操作由写入特定选择
命令到CUI 。表4的规定
可用的命令。附录B提供了详细的
在不同的模式之间的移动信息
的操作。
通过将CE＃到逻辑取消选择器件
高电平（V
IH
）将器件置于待机模式，
这大大降低了设备功耗
消费。在待机状态下，输出DQ
0
-DQ
15
是
置于高阻抗状态，独立的
OE ＃ 。如果在编程或擦除取消
操作时，设备会继续消费活跃
权力，直至编程或擦除操作
完整的。
3.1.4
深度掉电/复位
RP ＃在V
IL
启动深度掉电模式下，
有时被称为复位模式。
从读模式， RP ＃变低的时间t
PLPH
完成以下操作：
1.
2.
取消选择内存
放置输出驱动器处于高阻抗
状态
3.2
操作模式
闪速存储器具有三个读出模式和两种
写模式。读模式读取阵列，读取
标识符和读取状态。写模式
程序和块擦除。另外三个模式
初步
15
