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E
2.0
2.1
2.1.1
4兆位SmartVoltage BOOT块系列
2.1.2
两个8 KB参数块
产品说明
内存阻断组织
该产品系列具有asymmetrically-
阻塞架构提供系统内存
集成。每个擦除块可被擦除
独立于其他的多达100,000次
商业级温度或高达10,000次
扩展温度。块大小已
选择优化其共同功能
的非易失性存储器中的应用程序。组合
在引导块架构的块大小的允许
的多个存储器集成到一个单一的
芯片。对于这些块的地址位置，参见
在图4和图5中的存储器映射。
一个16 KB的BOOT BLOCK
引导块架构包括参数
块，以便于存储的频繁更新
小的参数，通常会需要
EEPROM 。通过使用软件技术中，针对字节
EEPROM的重写功能可以效仿。
这些技术详细介绍英特尔的应用
注意，
AP- 604采用英特尔的引导块闪存
内存参数块替换EEPROM
.
每个引导块组件包含两个参数
8千字节（ 8192字节）的每一个块。该
参数块没有写保护的。
2.1.3
ONE 96 KB + 3个128 KB
主要模块
引导块是用来代替专用
在微处理器或微控制器 - 引导PROM
基础的系统。 16K字节（ 16,384字节）启动
块位于任一顶端（由-T记
后缀）或地址映射的底部（-B后缀）
以适应不同的微处理器的协议
为引导代码的位置。这个引导块功能
硬件控制的写保护保护
意外关键的微处理器启动代码
修改。引导块的保护是
用V的组合控制
PP
， RP ＃和
WP ＃引脚，作为详见3.4节。
地址空间的引导配置后
和参数块，其余的被分成
主块的数据或代码存储器。每4兆位
器件包含一个96字节（ 98,304字节）的块
和3个128字节（ 131,072字节）的块。见
内存映射每个设备的详细信息。
初步
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