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256 - Mbit的J3 （ X8 / X16 ）
表8 。
读操作（共2页2 ）
V
CC
= 2.7 V–3.6 V
(3)
V
CCQ
= 2.7 V–3.6 V
(3)
笔记
速度
箱子
-110
民
最大
1000
1000
0
25
25
0
25
25
-115
民
最大
1000
1000
0
25
25
民
-120
最大
1000
1000
0
30
25
-125
民
最大
1000
1000
0
25
25
-150
民
最大
1000
1000
1,2
1,2,5
1,2,5
5, 6
4
异步
特定网络阳离子
（单位：ns各单位，除非
另有说明）
#
R12
R13
R14
R15
R16
符号
t
FLQV /
t
FHQV
t
FLQZ
t
EHEL
t
APA
t
GLQV
参数
密度
BYTE ＃到输出延迟
BYTE ＃到输出中高Z
CEX高至低CEX
页地址访问时间
OE ＃为阵列输出延迟
注意事项：
CE
X
低被定义为CE0 ， CE1 ， CE2或的第一边缘，使设备。 CE
X
高是
在CE0 ， CE1 ， CE2或的第一条边禁用设备中定义（见
表13）。
1.见AC输入/输出参考波形的最大允许输入转换
率。
2. OE ＃可能会延迟到t
ELQV
-t
GLQV
CE0 ， CE1的第一边缘，或CE2之后
使该设备（见
表13）
没有对T的影响
ELQV
.
3.请参阅
图15 ， “瞬态输入/输出参考波形为VCCQ = 2.7 V ， 3.6
V“第29页
和
图16 ， “等效瞬态测试负载电路”上
第30页
用于测试的特点。
4.当读取闪存阵列速度更快吨
GLQV
（ R16 ）适用。非数组中读取指
状态寄存器读取，读取查询，或设备标识符读取。
5.采样，而不是100 ％测试。
6.对于设备配置为标准字/字节读取方式， R15 （T
APA
）将等于R2
(t
AVQV
).
图9.单字异步读取波形
R1
R2
地址[ A]
R3
CEX [ E]
R9
OE ＃ [G]
WE＃ [W]
R4
R16
R7
R6
DATA [ D / Q]
R11
BYTE ＃ [F]
R5
RP ＃ [P]
R12
R13
R10
R8
数据表
23
