TL05x ， TL05xA ， TL05xY
增强型JFET低偏移
运算放大器
SLOS178 - 1997年2月
D
D
直接升级到TL07x和TL08x的BiFET
运算放大器
更快的压摆率（ 20 V /μs的典型值）无
功耗增加
D
D
片偏移电压的微调
提高DC的性能和精度
牌号有（ 1.5毫伏， TL051A ）
提供TSSOP小外形
设计
描述
该TL05x系列JFET输入运算放大器可欣赏到TL07x改进直流和交流特性
和的BiFET运算放大器TL08x家庭。片上的偏移电压的齐纳修整得到精度
等级低至1.5毫伏（ TL051A ）的直流耦合应用更高的精度。德州仪器改善
的BiFET工艺和优化的设计也得到提高带宽和压摆率，而不增加功耗
消费。该TL05x器件的引脚兼容TL07x和TL08x ，可以用来升级
现有的电路或用于新设计的最佳性能。
的BiFET运算放大器提供的JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，无
牺牲与双极放大器相关的输出驱动器。这使得它们更适合用于与接口
高阻抗传感器或非常低的电平的交流信号。他们还配备了比天生好交流响应
双极或CMOS器件具有可比性的功耗。
该TL05x系列旨在提供更高的精度和更好的交流响应比TL08x与低
在TL07x的本底噪声。需要显著加快交流响应设计师或保证更低的噪声应
考虑的BiFET运算放大器的神剑TLE208x和TLE207x系列。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
800
V
0 ° C至70℃
1.5毫伏
4毫伏
800
V
- 40 ° C至85°C
1.5毫伏
4毫伏
800
V
- 55 ° C至125°C
1.5毫伏
小
外形
(D)
TL051ACD
TL052ACD
TL051CD
TL052CD
TL054ACD
TL054CD
TL051AID
TL052AID
TL051ID
TL052ID
TL054AID
TL054ID
TL051AMD
TL052AMD
TL051MD
TL052MD
TL054AMD
芯片
支架
（ FK ）
—
—
—
—
—
—
TL051AMFK
TL052AMFK
TL051MFK
TL052MFK
TL054AMFK
—
陶瓷的
DIP
(J)
—
—
—
—
—
陶瓷的
DIP
（ JG ）
—
—
—
—
—
—
TL051AMJG
TL052AMJG
TL051MJG
TL052MJG
塑料
DIP
(N)
—
TL054ACN
TL054CN
—
TL054AIN
TL054IN
—
塑料
DIP
(P)
TL051ACP
TL052ACP
TL051CP
TL052CP
—
TL051AIP
TL052AIP
TL051IP
TL052IP
—
TL051AMP
TL052AMP
TL051MP
TL052MP
—
—
—
TL051Y
TL052Y
TL054Y
芯片
形成的？
(Y)
TL054AMJ
TL054AMN
TL054MN
4毫伏
TL054MD
TL054MFK
TL054MJ
—
为D软件包可以录音和缠绕。加上R后缀设备类型（例如， TL054CDR ） 。
芯片的形式，在25 ℃条件下测定。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1997年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
