TLMG / H / O / P / Y310 。
威世半导体
纯绿
TLMP310.
参数
发光强度
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
部分
TLMP3100
TLMP3101
TLMP3102
TLMP3107
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
1)
日前，Vishay
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
民
1
1.6
2.5
2.5
555
典型值。
4
最大
5
8
5
565
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
555
± 60
2.1
6
15
15
2.8
V
V
pF
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
125
I
F
- 正向电流（mA ）
P - 功耗（MW ）
V
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
75
50
25
0
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
0
20
40
60
80
100
95 9985
1
0.01
0.1
1
10
100
95 10904
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
0°
I
V再度升
- 相对发光强度
10°
20°
60
I
F
- 正向电流（mA ）
30°
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
40°
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
95 10905
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
95 10319
图2.正向电流与环境温度的InGaN
图4.相对。发光强度与角位移
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文档编号83032
修订版1.7 ， 8月31日 - 04
