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TMP05/TMP06
应用提示
热响应时间
所需的温度传感器来解决一个时间
指定的精度的热质量的函数
传感器和传感器与之间的热导率
对象被检测。热物质通常被认为是
相当于电容。热传导率为一般
用符号Q指定，并且可以被认为是热的
性。它在每瓦度单位一般规定
权力的转移在整个热联合。因此，时间
沉降到期望所需的TMP05 / TMP06
精度取决于选定，热包
接触建立在该特定的应用程序，并且
热源的等效功率。在大多数应用中，
建立时间可能是最好的经验来确定。
电源去耦
该TMP05 / TMP06应使用0.1 μF的陶瓷去耦
V之间的电容
DD
和GND 。这是特别重要的，
如果TMP05 / TMP06是远离电源安装
供应量。精密模拟产品，如TMP05 / TMP06
需要一个良好的滤波电源。由于TMP05 /
TMP06采用单电源工作，它可能看起来很方便
简单地进军数字逻辑电源。不幸的是，
逻辑电源通常是一个开关式的设计，这会产生
噪声在20kHz至1MHz的范围内。此外，快速逻辑门
可以产生毛刺几百毫伏的幅度因
布线电阻和电感。
如果可能的话，将TMP05 / TMP06应该直接供电
从系统电源供给。这种布置，在所示
图31中，隔离的逻辑开关，模拟部
瞬变。即使一个单独的电源迹线不可用时，
然而，大方的电源旁路减少供应线 -
引起的误差。本地电源旁路由一个0.1 μF的
陶瓷电容器是用于温度精度临界
要达到规格。这种去耦电容必须
被放置在尽可能靠近到TMP05 / TMP06的V
DD
引脚。
推荐的去耦电容是Phicomp的100 nF的，
50 V X74 。
保持电容封装尺寸尽可能地小，因为
ESL （等效串联电感）的增加提高了
封装尺寸。减少低于100 nF的电容值
增加了ESR（等效串联电阻） 。使用一
电容器用1 20nH的ESL和80的ESR mΩ的是
推荐使用。
TTL / CMOS
逻辑
电路
自热效应
的TMP05 / TMP06的温度测量精度
可能变差中由于自加热的一些应用。
所引入的误差是从静态功耗和功率
转换时，也就是在t消退
L
。的幅度
这些温度误差是依赖于热传导
的TMP05 / TMP06包tivity ，安装技术，
和气流的影响。在TMP05静态功耗/
TMP06是典型的10瓦， 3.3 V空载运行。在
5引脚SC-70封装安装在自由空气中，这占了
温度上升，由于自加热的
ΔT =
P
DISS
× θ
JA
= 10 μW × 211.4 ° C / W = 0.0021 ℃，
(5)
此外，功率由数字输出，这是消耗
可以吸收800 μA连续（ TMP05 ）的。下一个
800 μA的负载，输出可以消散
P
DISS
= （ 0.4 V） （0.8 mA）的（ （T
L
)/T
H
+
T
L
))
(6)
0.1F
TMP05/
TMP06
动力
供应
ΔT =
P
DISS
× θ
JA
= 0.21毫瓦× 211.4 ° C / W = 0.044 ° C（ 7 ）
这种温度上升会直接增加从
静态功耗并影响TMP05的精度/
TMP06相对于真正的环境温度。
因此建议通过该装置的电流消耗是
保持为最小，因为其对比例效果
温度误差。
图31.使用单独的痕迹，降低电源噪声
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例如，用
T
L
= 80毫秒，
T
H
= 40毫秒，功率
由于数字输出功耗是大约0.21毫瓦。
在一个独立的SC-70封装，这占了一个温
TURE增加，因为自热
