TPA4411
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SLOS430 - 2004年8月
应用信息（续）
去耦电容
该TPA4411是一个无电容耳机放大器，需要足够的电源去耦，以保证
的噪声和总谐波失真（THD）低。一个良好的低等效串联电阻（ ESR ）陶瓷
电容，通常是2.2 μF ，放置在尽可能靠近该设备V
DD
铅是最好的。将这种脱钩
电容器靠近TPA4411是用于放大器的性能非常重要。为了滤除低频
噪声信号，一个10 μF或更大的电容放置在靠近音频功率放大器也将有所帮助，但不是
中，因为该装置的高PSRR的大多数应用要求。
电源电压限制在4.5 V
该TPA4411具有一个内置的电荷泵，其用于产生一个负轨的耳机放大器。
因为耳机放大器从正电压和负电压供电，电路有
实施以保护功放设备免受过电压的条件。一旦电源电压高于
4.5 V时， TPA4411能够在过电压保护模式关闭，以防止损坏器件。该
TPA4411恢复正常运行，一旦供给被降低到4.5伏或更低。
布局建议
裸露焊盘在TPA4411RTJ封装选项
在TPA4411RTJ包暴露的金属焊盘必须焊接到PCB上的焊盘，以
保持可靠性。
PCB上的焊盘应允许浮动，而不是连接到地或电源。
连接该端口电源或接地可防止设备，因为它是连接工作正常
在内部PVSS 。
SGND和PGND连接
该TPA4411的SGND和PGND引脚必须单独路由回退耦电容，以
提供适当的设备操作。如果SGND和PGND引脚直接连接到彼此，所述部
没有发生故障的风险，但噪声和THD性能的功能不符合规格。
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