TPIC6259
功率逻辑8位可寻址锁存器
SLIS009A - APIRL 1992年 - 修订1995年9月
低R
DS （ ON）
. . . 1.3
典型
雪崩能量。 。 。 75兆焦耳
八功率DMOS晶体管输出
250 - mA的持续电流
1.5脉冲电流每路输出
输出钳位电压为45 V
四个不同的功能模式
低功耗
DW或N包装
（ TOP VIEW ）
描述
这种权力的逻辑8位可寻址锁存控制
漏极开路DMOS晶体管输出，并
设计用于一般用途的存储的应用
系统蒸发散在数字系统中。具体用途包括：
工作寄存器，串行保持寄存器，并
解码器或解复用器。这是一个多
能够存储单行的功能元件
在八个寻址锁存数据用3至8
解码或解复用方式，低电平有效
DMOS输出。
保护地
V
CC
S0
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
S1
LGND
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
保护地
CLR
D
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
G
S2
保护地
功能表
输入
CLR摹
H
H
H
L
L
L
L
H
L
L
D
H
L
X
H
L
输出
讨论
漏
L
H
QIO
L
H
每
其他
漏
QIO
QIO
QIO
H
H
功能
寻址
LATCH
内存
8-Line
多路解复用器
四种不同的操作模式是通过可选择的
L
H X将
H
H
明确
控制清零（ CLR ）和使能（ G）输入
所列举的功能表。在
锁存器选型表
可寻址锁存模式中，在该数据中的数据（D）的
选择输入
漏
终端写入到所寻址的锁存器。该
讨论
S2 S1
S0
解决DMOS晶体管输出反转
L
L
L
0
数据输入与所有未解决的DMOS晶体管
L
L
H
1
输出留在他们以前的状态。在
L
H
L
2
内存模式下，所有DMOS晶体管输出
L
H
H
3
留在他们以前的状态，并不会受到影响
H
L
L
4
由数据或地址输入端。为了消除
H
L
H
5
在锁存输入错误数据的可能性，
H
H
L
6
H
H
H
7
让摹应保持高电平（无效），而
地址线正在发生变化。在3至8译码
或解复用模式中，被寻址的输出反相相对于所述D输入端和所有其它输出
高。在清澈模式中，所有的输出为高电平并且不受地址和数据输入。
提供独立的电源和逻辑电平接地引脚，以方便最大的系统灵活性。引脚1 ， 10 ， 11 ，
和20在内部相连，并且每个引脚必须从外部连接到电力系统接地，以
以减少寄生电感。 9针，逻辑地（ LGND ）和引脚1,10之间的单点连接，
11和20 ，功率地（PGND ）必须在外部的方式，减少之间的串扰制成
逻辑和负载电路。
该TPIC6259的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
1995年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
达拉斯，德克萨斯州75265
1
