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表4 。
推荐使用条件
除非另有说明，所有电压参考基准终端。
符号
V
CC
V
IL
V
IH
T
例
V
OH
f
SYS
参数
电源电压范围
逻辑低电平输入电压范围
逻辑高电平输入电压范围
工作温度
高电平输出电压
系统频率
（对于25 MHz的版本）
（对于33 MHz的版本）
分钟。
+4.75
GND
+2.0
-55
+2.4
25
33
典型值。
马克斯。
+5.25
+0.8
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
V
兆赫
兆赫
表5 。
热特性
符号
θ
JC
θ
JA
参数
热阻 - 结到管壳
240针CERQUAD
241针PGA
热阻 - 结到环境
240针CERQUAD
241针PGA
价值
2
7
27.4
22.8
单位
° C / W
° C / W
T
J
= T
A
+ (P
D
·
θ
JA
)
P
D
= (V
DD
· I
DD
) + P
I / O
其中，P
I / O
是在管脚上的功耗。
电源注意事项
平均芯片结温度T
J
在
°C
可以从得到的：
T
J
= T
A
÷
(P
D
·
Θ
JA
)
(1)
其中：
T
A
=环境温度，
°C
Θ
JA
=封装热阻，
结到环境， C / W
P
D
= P
INT
+ P
I / O
P
INT
= I
CC
· V
CC
沃茨芯片内部电源
P
I / O
=功耗上的输入和输出引脚，用户决定
对于大多数应用，磷
I / O
< 0.3 · P
INT
可以忽略不计。
P之间的近似关系
D
和T
J
（如果P
I / O
被忽略的）为：
P
D
= K
÷
(T
J
+ 273°C)
(2)
解方程（1）和（2）中K给出：
K = P
D
· (T
A
+ 273°C) +
Θ
JA
· P
D2
(3)
其中，K是一个常数有关的特定部分。 。K可从方程确定
化（3）通过测量P
D
（在热平衡）的专有牛逼
A
。使用该K的值，
P的值
D
和T
J
可以通过求解方程（1）和获得（2）反复进行
的T任意值
A
.
12
TS68EN360
2113A–HIREL–03/02
