HY62LF16404D系列
256Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
256K X16位2.3 2.7V超低功率FCMOS慢速SRAM
修订历史
版本号
00
01
02
历史
最初的草案
改变的标志
改变ISB1值
变化的部分，没有Q -> L
改变的封装尺寸（ 6.1毫米-> 6.0毫米）
草案日期
Dec.20.2000
Mar.23.2001
Jun.07.2001
备注
初步
初步
初步
03
Aug.07.2001
初步
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
Rev.03 / Aug.01
海力士半导体
