2003
THRU
2024
高电压，
高电流
达林顿阵列
ALLOWABLE集电极电流
与duty cycle间的关系
（双列直插式封装器件，后缀“A” ）
600
典型应用
VSS +
1
2
16
15
14
13
12
11
10
9
DWG 。号A- 9652
+V
1
输出电流毫安/通道
2
400
3
4
5
6
7
200
输出数
导
同时
3
4
5
6
7
T
A
= +70°C
R
θJA
= 60 ° C / W
PMOS
产量
8
0
0
20
40
60
80
100
DWG 。 GP- 070
占空比％的
VDD +
1
2
3
16
15
14
13
12
11
200
+V
（小外形封装器件，后缀“L” ）
600
输出电流毫安/通道
T
A
= +70°C
R
θJA
= 90C / W
4
5
400
6
2
3
7
8
10
200
2N4901
9
200
6
7
输出数
导
同时
0
0
20
40
4
5
CMOS
产量
DWG 。编号A- 9654A
60
80
100
DWG 。 GP- 044A
占空比％的
饱和电压
AS集电极电流的函数
600
集电极电流作为
函数的输入电流
600
集电极电流毫安
400
TY
PI
M
CA
AX
L
.S
AT
UR
AT
IO
N
VO
LT
AG
E
集电极电流毫安
400
CA
L
200
200
'D
EQ
.R
AX
M
T
PU
IN
T
EN
RR
CU
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
DWG 。 GP- 067
0
0
200
400
600
DWG 。 GP- 068
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
A
115东北托夫，箱15036
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 （ 508 ） 853-5000
TY
PI
