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2003
THRU
2024
高电压,
高电流
达林顿阵列
类型ULN2003A , ULN2003L , ULN2004A和ULN2004L
在+25电气特性
°
℃(除非另有说明) 。
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
TEST
图。
1A
适用
器件
所有
测试条件
V
CE
= 50 V ,T
A
= 25°C
V
CE
= 50 V ,T
A
= 70°C
1B
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
2
ULN2004A/L
所有
V
CE
= 50 V ,T
A
= 70℃ ,V
IN
= 1.0 V
I
C
= 100毫安,我
B
= 250
A
l
C
= 200毫安,我
B
= 350
A
I
C
= 350 mA时,我
B
= 500
A
输入电流
I
IN(上)
3
ULN2003A/L
ULN2004A/L
V
IN
= 3.85 V
V
IN
= 5.0 V
V
IN
= 12 V
I
中(关闭)
输入电压
V
IN(上)
4
5
所有
ULN2003A/L
l
C
= 500
A,
T
A
= 70°C
V
CE
= 2.0 V,L
C
= 200毫安
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 250毫安
V
CE
= 2.0 V,L
C
= 300毫安
ULN2004A/L
V
CE
= 2.0 V,L
C
= 125毫安
V
CE
= 2.0 V,L
C
= 200毫安
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 275毫安
V
CE
= 2.0 V,L
C
= 350毫安
输入电容
导通延迟
关断延时
钳位二极管
漏电流
钳位二极管
正向电压
C
IN
t
PLH
t
PHL
I
R
V
F
8
8
6
所有
所有
所有
所有
0.5 E
IN
0.5 ê
OUT
0.5 E
IN
0.5 ê
OUT
V
R
= 50 V ,T
A
= 25°C
V
R
= 50 V ,T
A
= 70°C
7
所有
I
F
= 350毫安
分钟。
50
范围
典型值。马克斯。
<1
<1
<5
0.9
1.1
1.3
0.93
0.35
1.0
65
15
0.25
0.25
1.7
50
100
500
1.1
1.3
1.6
1.35
0.5
1.45
2.4
2.7
3.0
5.0
6.0
7.0
8.0
25
1.0
1.0
50
100
2.0
单位
A
A
A
V
V
V
mA
mA
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
pF
s
s
A
A
V
完整的部件号包括后缀来标识封装形式: A = DIP , L = SOIC 。
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