ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
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电气特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
V
我（上）
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
A,
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
A,
I
I
= 500
A,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
A
30
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
100
25
0.9
1
1.2
民
典型值
最大
2.7
2.9
3
1.2
1.4
1.7
100
2.2
A
V
A
mA
A
pF
V
V
单位
开关特性
T
A
= 25°C
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 20
民
典型值
0.25
0.25
最大
1
1
单位
s
s
mV
开关特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 50
民
典型值
1
1
最大
10
10
单位
s
s
mV
4
