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UTRON
修订版1.1
电容
(T
A
= 25 ℃ ， F = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
UT6264C
8K ×8位低功耗CMOS SRAM
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0V至3.0V
5ns
1.5V
C
L
= 100pF的，我
OH
/I
OL
= -1mA / 4毫安
AC电气特性
(V
CC
= 4.5V 5.5V ，T
A
= 0 ℃到70℃ ）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
符号
UT6264C-35
分钟。
马克斯。
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
RC
t
AA
t
ACE1,
t
ACE2
t
OE
t
CLZ1*,
t
CLZ2*
t
OLZ *
t
CHZ1*,
t
CHZ2*
t
OHZ *
t
OH
35
-
-
-
10
5
-
-
5
-
35
35
25
-
-
25
25
-
70
-
-
-
10
5
-
-
5
-
70
70
35
-
-
35
35
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
UT6264C-70
分钟。
马克斯。
单位
t
WC
t
AW
t
CW1,
t
CW2
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW *
t
WHZ *
35
30
30
0
25
0
20
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
70
60
60
0
50
0
30
0
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
UTRON科技有限公司
1楼11号的R＆amp ; d路。二，科学工业园区，新竹，台湾， ROC
电话： 886-3-5777882传真： 886-3-5777919
P80028
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