茂矽
AC特性
T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
JEDEC
符号
t
RL1RH1
t
RL2RL2
t
RH2RL2
t
RL1CH1
t
CL1CH1
t
RL1CL1
t
WH2CL2
t
AVRL2
t
RL1AX
t
AVCL2
t
CL1AX
35
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
参数
RAS
脉冲宽度
读或写周期时间
RAS
预充电时间
CAS
保持时间
CAS
脉冲宽度
RAS
to
CAS
延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS
保持时间（读周期）
CAS
to
RAS
预充电时间
读命令保持时间
参考
CAS
读命令保持时间
参考
RAS
RAS
保持时间
参考
OE
访问时间从
OE
访问时间从
CAS
访问时间从
RAS
从列存取时间
地址
21
22
23
t
CL1QX
t
CH2QZ
t
RL1AX
t
LZ
t
HZ
t
AR
OE
or
CAS
以低Z输出
OE
or
CAS
到输出高阻态
列地址保持时间
从
RAS
24
t
RL1AV
t
拉德
RAS
到列地址
延迟时间
RAS
or
CAS
保持时间
在写周期
写命令
CAS
交货时间
11
17
12
20
13
23
14
26
0
0
28
6
0
0
30
6
0
0
35
7
0
0
40
8
40
45
50
V53C8126H
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
35
70
25
35
12
16
0
0
6
0
4
12
5
0
23
75K
40
75
25
40
12
17
0
0
7
0
5
12
5
0
28
75K
45
80
25
45
13
18
0
0
8
0
6
13
5
0
32
75K
50
90
30
50
14
19
0
0
9
0
7
14
5
0
36
75K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
4
t
CL1RH1(R)
t
RSH （R）的
t
CH2RL2
t
CH2WX
t
CRP
t
RCH
5
15
t
RH2WX
t
RRH
0
0
0
0
ns
5
16
t
OEL1RH2
t
ROH
8
8
9
10
ns
17
18
19
20
t
GL1QV
t
CL1QV
t
RL1QV
t
AVQV
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
12
12
35
18
12
12
40
20
13
13
45
22
14
14
50
24
ns
ns
ns
ns
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
ns
ns
ns
16
16
ns
11
25
t
CL1RH1(W)
t
RSH （W）的
12
12
13
14
ns
26
t
WL1CH1
t
CWL
12
12
13
14
ns
V53C8126H 1.1修订版1997年7月
5
