茂矽
AC特性
（续）
35
#
32
33
34
35
36
37
V53C808H
40
45
50
笔记
14
14
14
14
符号
t
DS
t
DH
t
WOH
t
OED
t
RWC
t
RRW
t
CWD
t
RWD
t
CRW
t
AWD
t
PC
t
CP
t
汽车
t
帽
t
DHR
t
企业社会责任
t
RPC
t
CHR
t
PCM
t
T
t
REF
t
COH
参数
数据建立时间
数据保持时间
写OE保持时间
OE数据延迟时间
读 - 修改 - 写周期时间
读 - 修改 - 写周期的RAS
脉冲宽度
CAS以拖延
RAS到我们延迟
CAS脉冲宽度（ RMW ）
上校地址到我们拖延
EDO页面模式读取或写入
周期
CAS预充电时间
列地址到RAS建立时间
从列预充电时间访问
在数据保持时间参考RAS
CAS建立时间
CAS先于RAS刷新
RAS到CAS预充电时间
CAS保持时间
CAS先于RAS刷新
EDO页面模式读取 - 修改 - 写入
周期
转换时间（上升和下降）
刷新间隔（ 1024个周期）
CAS低后输出保持
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
0
4
5
5
105
70
0
5
6
6
110
75
0
6
7
7
115
80
0
7
8
8
130
87
ns
ns
ns
ns
ns
ns
38
39
40
41
42
28
54
46
35
14
30
58
48
38
15
32
62
50
41
17
34
68
52
42
19
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
12
43
44
45
46
47
4
18
21
28
10
5
20
23
30
10
6
22
25
35
10
7
24
27
40
10
ns
ns
ns
ns
ns
7
48
49
0
8
0
8
0
10
0
12
ns
ns
50
58
60
65
70
ns
51
52
53
3
50
16
5
3
50
16
5
3
50
16
5
3
50
16
5
ns
ms
ns
15
可选的自刷新
54
55
t
RASS
t
RPS
t
CHS
t
CHD
RAS脉冲宽度在自刷新
RAS预充电时间在自
刷新
CAS保持时间宽度在自
刷新
CAS低电平时间在自
刷新
100
100
100
100
100
100
100
100
ms
ns
18
18
56
100
100
100
100
ns
ms
18
57
100
100
100
100
18
V53C808H 1.5修订版1998年4月
6
