茂矽
AC特性
T
A
= 0
°
C至70
°
C，V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0V ，除非另有说明
AC测试条件下，输入脉冲电平0 3V
40
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH （R）的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间（读周期）
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS为低-Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间
从RAS
RAS到列地址
延迟时间
25
t
RSH （W）的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
RAS或CAS保持时间在写
周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
12
13
14
15
0
0
30
6
分钟。
40
75
25
40
12
17
0
0
7
0
5
12
5
0
28
马克斯。
75K
分钟。
45
80
25
45
13
18
0
0
8
0
6
13
5
0
32
45
马克斯。
75K
分钟。
50
90
30
50
14
19
0
0
9
0
7
14
5
0
36
50
马克斯。
75K
分钟。
60
110
40
60
15
20
0
0
10
0
10
15
5
0
43
60
马克斯。
75K
V53C806H
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
4
5
15
0
0
0
0
ns
5
16
17
18
19
20
21
22
23
8
12
12
40
20
9
13
13
45
22
0
0
35
7
10
14
14
50
24
0
0
40
8
10
17
17
60
30
0
0
45
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
24
12
20
13
23
14
26
15
30
ns
11
ns
26
27
28
29
12
0
5
5
13
0
6
6
14
0
7
7
15
0
10
10
ns
ns
ns
ns
12, 13
V53C806H 1.6修订版1998年4月
5
