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V62C2801024L(L)
数据保持特性
（只有L型）
(1)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
(2)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
测试条件
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
CE
2
< + 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V
民
1.0
-
0
t
RC
最大
-
单位
V
A
ns
ns
1
-
-
数据保存波形
（L版本） （T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
数据保持方式
V
CC
Vcc_typ
V
DR
＆ GT ;
1.0V
Vcc_typ
t
CDR
CE
V
DR
t
R
V
IH
V
IH
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
L-版本包含此功能。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
对于测试环境，请见
AC测试条件，
图A.
该参数与CL = 5pF的测试，从稳态电压测量+ 500mV的，如图B.过渡。
这个参数是有保证的，但没有进行测试。
WE为高的读周期。
CE1和OE低， CE2为高的读周期。
地址有效之前或重合CE1过渡较低或CE2过渡高。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一个跃迁地址引用。
CE1或者我们必须高或CE2必须解决过渡期间比较低。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
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修订版1.1
四月
2001 V62C2801024L （ L）
