茂矽
V62C2184096
512K ×8 ， CMOS静态RAM
初步
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
高速： 70 ， 85纳秒
4超低待机电流
A（ MAX 。 ）
全静态操作
所有的输入和直接兼容输出
三态输出
超低数据保持电流（V
CC
= 1.2V)
工作电压： 2.3V - 3.0V
套餐
- 32引脚TSOP （标准）
- 36球CSP BGA （8毫米X 10毫米）
描述
该V62C2184096是一个非常低功耗CMOS
静态RAM由8位， 524,288字。
容易记忆膨胀由有源提供
LOW CE1和高电平有效CE2 ，一个低电平有效
OE和三个静态的I / O 。此装置具有一
自动电源关闭模式功能时，
取消选择。
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
输入缓冲器
行解码器
SENSE AMP
I / O
8
1024
x
4096
I/O1
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
控制
电路
OE
WE
CE1
CE2
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
B
访问时间（纳秒）
70
85
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C2184096 1.5修订版2000年6月
1
