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W39L040
512K
×
8 CMOS FLASH MEMORY
1.概述
该W39L040是4Mbit的， 3.3伏的CMOS只快闪记忆体组织为512K
×
8位。对于柔性
擦除能力，数据的4Mbits被分成64K字节8均匀的扇区，分别为
由16个较小的偶数页具有4千字节。该字节宽（ × 8 ）的数据显示在DQ7
DQ0.
该装置可被编程和擦除的在系统与标准的3.3V电源。一个12伏
V
PP
不是必需的。的W39L040导致快速的程序独特的单元架构/擦除
极低的电流消耗操作（相对于其他可比3.3伏闪光
内存产品） 。该设备还可以被编程，并通过使用标准EPROM擦除
程序员。
2.特点
单3.3伏操作
3.3伏读
3.3伏的擦除
3.3伏计划
硬件保护：
可选16K字节或64K字节的顶部/底部
与闭锁保护引导块
快速的程序操作：
逐字节编程： 50
S
（ MAX 。 ）
快速擦除操作：
芯片擦除周期时间： 100 ms（最大值）
扇区擦除周期时间： 25 ms（最大值）
页擦除周期时间： 25 ms（最大值）
灵活的4K页的大小可以被用作
参数块
典型的编程/擦除周期： 1K / 10K
二十年的数据保留
低功耗
工作电流10 mA（典型值）
待机电流： 2
A
（典型值）。
节目结束检测
读访问时间： 70/90纳秒
8连64K字节扇区每一个，这是
与4K字节组成的16灵活的页面
任何单个部门或页面可擦除
软件方法：切换位/数据查询
TTL兼容的I / O
JEDEC标准的字节宽引脚
可用的软件包： 32L PLCC ， TSOP 32L （ 8×
20毫米）和32L STSOP （8× 14毫米）
-1-
出版日期： 2003年2月10日
修订A3
