生产数据
WM2630
绝对最大额定值
绝对最大额定值的压力额定值只。对设备造成永久性损坏，可以通过在或连续运行造成的
超出这些限制。设备功能操作限制和保证的性能规格电气下给出
特性在规定的试验条件。
ESD敏感器件。这个装置被制造在一个CMOS工艺。因此，一般地容易
损伤过度静电电压。合适的防静电措施，必须处理这个和贮存过程中应采取
装置。
条件
数字电源电压AVDD或DVDD至GND
参考输入电压
数字输入电压范围为GND
工作温度范围，T
A
储存温度
铅焊接温度， 1.6毫米（ 1/16英寸） ，从封装体10
秒
WM2630CDT
WM2630IDT
-0.3V
-0.3V
0°C
-40°C
-65°C
民
最大
7V
AVDD + 0.3V
DVDD + 0.3V
70°C
85°C
150°C
260°C
推荐工作条件
参数
电源电压
高层次的数字输入电压
低电平数字输入电压
参考电压REF
输出负载电阻
负载电容
工作自由空气的温度
符号
AVDD ，
DVDD
V
IH
V
IL
V
REF
R
L
C
L
T
A
WM2630CDT
WM2630IDT
0
-40
见注
见注
AVDD = 5V
AVDD = 3V
GND
GND
2
100
70
85
2.048
1.024
2
0.8
AVDD
AVDD
V
k
pF
°C
°C
V
V
测试条件
民
2.7
典型值
最大
5.5
单位
V
注意：
参考输入电压高于AVDD / 2将导致饱和度大的DAC码。
欧胜微电子有限公司
PD 1.1版2001年2月
3
