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WS57C191C/291C
高速2K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
— t
加
= 25纳秒
— t
CS
= 12 ns的
引脚兼容Am27S191 / 291
和N82S191双极PROM中
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
可在300英里DIP和PLDCC
ESD保护超过2000V
概述
该WS57C191C / 291C是一个非常高性能16K紫外线擦除电重新可编程只读
只读存储器（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极操作制
PROM的速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。该WS57C191C / 291C
还配置了标准双极PROM引脚排列这对它们的系统提供了一种简便的升级途径
目前使用双极PROM中。
该WS57C191C封装在一个常规的600万DIP封装，以及一个塑料有引线芯片载体
（ PLDCC ）和陶瓷无引线芯片载体（ CLLCC ） 。该WS57C291C打包在一个节省空间的300密耳
DIP封装配置。两者都是在商业，工业，军事操作温度范围内工作。
框图
EPROM阵列
引脚配置
顶视图
6
A5 - A10
ROW
地址
ROW
解码器
芯片载体
16,384位
CERDIP /塑料DIP
NC
A
5
A
6
A
7
5
A0 - A4
COLUMN
地址
COLUMN
解码器
V
CC
A
8
A
9
SENSE
放大器器
CS1 / V
PP
CS2
CS3
8
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2
28 27 26
1
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
O
1
O
2
NC
3
O
4
O
5
A
7
A
6
A
5
A
10
A
4
CS1/V
PP
A
3
CS2
A
2
CS3
A
1
NC
A
0
O
7
O
0
O
6
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
CS2
CS3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
GND
输出
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
191C/291C-25
25纳秒
12纳秒
191C/291C-35
35纳秒
20纳秒
191C/291C-45
45纳秒
20纳秒
191C/291C-55
55纳秒
20纳秒
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