IXGH 17N100
IXGH 17N100A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
15
S
IXGM 17N100
IXGM 17N100A
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
175
40
100
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 300
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 82
备注：开关时间
可能增加
对于V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100
17N100A
17N100A
20
60
100
200
500
750
450
3
100
200
2.5
700
1200
750
8
6
1000
2000
1000
1000
750
120
30
90
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.83 K / W
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
TO- 204AE大纲
0.25
K / W
IXGH 17N100和IXGH 17N100的特性曲线位于
IXGH 17N100U1和IXGH 17N100AU1数据表。
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
