Z86L88/81/86/87/89/73
IR /低电压微控制器
AC特性
初步
外部I / O或存储器读写时序表
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
8.0MHz
No
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
TDA （AS）的
TDAS （ A）
TDAS （ DR ）
TWAS
Td
TwDSR
TwDSW
TdDSR （ DR ）
THDR （ DS ）
TDDS （ A）
TDDS （AS）的
胸腺嘧啶/ W （AS）的
TDDS （R / W）的
TDDW （ DSW ）
TDDS （ DW ）
TDA （ DR ）
TDAS （ DS ）
TDDM （AS）的
TDDS （ DM ）
THDS （ A）
参数
地址有效到
/ AS上升延迟
/ AS瑞星地址
浮动延迟
/ AS瑞星阅读
所需的数据有效
/低宽
地址为浮动
/ DS下降
/ DS （读）低宽
/ DS （写）低电平宽度
/ DS下降到阅读
所需的数据有效
读取数据到/ DS崛起
保持时间
/ DS瑞星地址
主动延迟
/ DS瑞星/ AS
下降延迟
R'' W适用于/ AS
瑞星延迟
/ DS瑞星
R'' W未有效
写数据有效到/ DS
下降（写）延迟
/ DS瑞星写
数据无效延迟
地址有效到读
所需的数据有效
/ AS瑞星
/ DS下降沿延迟
/ DM有效期至/ AS
下降延迟
/ DS崛起
/ DM有效的延迟
/ DS上升到地址
有效保持时间
V
CC
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
2.0V
3.9V
民
55
55
70
70
400
400
80
80
0
0
300
300
165
165
260
260
0
0
85
95
60
70
70
70
70
70
80
80
70
80
475
475
100
100
55
55
70
70
70
70
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
2
2
2
1,2
2
1
1,2
1,2
1,2
2
2
2
2
2
2
2
1,2
2
2
注意事项：
1.当使用扩展内存时序加2 TPC 。
2.给定的时间数字是最小的TPC 。
标准测试负载
所有时序参考使用0.9 V
CC
为逻辑1和0.1V的
CC
为逻辑0 。
DS96LV00800
初步
13
