AC特性
外部I / O或存储器读写时序表
无符号
参数
V
CC
Note[3]
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
T
A
= 0
°
C至+70
°
C
8兆赫
12兆赫
最小值最大值最小值最大值
55
55
70
70
400
400
80
80
0
0
300
300
165
165
260
260
0
0
85
95
60
70
70
70
70
70
80
80
70
80
475
475
100
100
115
75
55
55
65
65
115
75
35
35
0
0
45
55
30
45
45
45
45
45
55
55
45
55
310
310
100
100
115
75
55
55
55
55
0
0
200
200
110
110
150
160
0
0
85
95
60
70
70
70
70
70
80
80
70
80
475
475
65
65
115
75
35
35
35
35
45
45
250
250
80
80
0
0
300
300
165
165
260
260
0
0
45
55
30
45
45
45
45
45
55
55
45
55
310
310
T
A
= -40
°
C至+105
°
C
8兆赫
12兆赫
最小最大
最小最大
55
55
70
70
400
400
55
55
0
0
200
200
110
110
150
160
35
35
45
45
250
250
单位
笔记
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
TDA （AS）的
TDAS （ A）
TDAS （ DR ）
TWAS
Td
TwDSR
TwDSW
地址有效到
/ AS上升延迟
/ AS瑞星地址
浮动延迟
/ AS瑞星阅读
所需的数据有效
/低宽
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
[2]
[2]
[1,2]
[2]
地址为浮动
3.3
/ DS下降
5.0
/ DS （读）低宽3.3
5.0
[1,2]
[1,2]
[1,2]
[2]
[2]
[2]
[2]
[2]
[2]
[2]
[1,2]
[2]
[1,2]
[2]
/ DS （写）低电平宽度3.3
5.0
TdDSR （ DR ） / DS下降到阅读
3.3
所需的数据有效
5.0
THDR （ DS ）
TDDS （ A）
TDDS （AS）的
胸腺嘧啶/ W （AS）的
TDDS （R / W）的
读出的数据
/ DS上升保持时间
/ DS瑞星地址
主动延迟
/ DS瑞星/ AS
下降延迟
R'' W适用于/ AS
瑞星延迟
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
3.3
5.0
0.0
5.0
3.3
5.0
/ DS瑞星
R'' W未有效
TDDW （ DSW ）写数据有效到/ DS
下降（写）延迟
TDDS （ DW ）
TDA （ DR ）
TDAS （ DS ）
TdDI （ DS ）
TDDM （AS）的
/ DS瑞星写
数据无效延迟
地址有效到读
所需的数据有效
/ AS瑞星
/ DS下降沿延迟
数据输入设置为
/ DS上升
/ DM有效期至/ AS
下降延迟
注意事项：
[1]当使用扩展内存时序加2 TPC 。
[ 2 ]中给出的时序数字是最小的TPC 。
[3] 5.0V
±0.5V,
3.3V
±0.3V.
标准测试负载
所有时序参考使用0.9 V
CC
为逻辑1和0.1V的
CC
为逻辑0 。
9
