初步
Am29LV800T/Am29LV800B
8兆位（ 1,048,576 ×8位/ 524,288 ×16位）
CMOS 3.0伏只，扇形闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 扩展电压范围： 2.7 3.6伏读
写电池供电操作
应用
- 标准电压范围： 3.0 3.6伏读
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
高性能
- 扩展电压范围：存取时间快
100纳秒
- 标准电压范围：存取时间快
90纳秒
s
超低功耗
- 自动休眠模式： 200 nA的典型
- 待机模式： 200 nA的典型
- 读取模式：2毫安/ MHz的典型
- 编程/擦除模式：20 mA典型
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
科幻fteen 32千字部门（字模式）
- 支持对控制代码和数据存储
单设备
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
编写和验证，在特定网络版字节或字
地址
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据轮询和切换位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复命令
- 挂起擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个部门，然后恢复
擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET）
- 硬件方法的设备复位到读
模式
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出版＃
20478
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1997年11月
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