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MC34152 ， MC33152 ， NCV33152
在负输出瞬态，功率NPN上拉
耗散在高频下会变得过度。
图20 ，图21和22示出了使用外部的一个方法
肖特基二极管钳位，以减轻驾驶员的功耗。
欠压锁定
一个滞后欠压闭锁防止不稳定
在低电源电压系统中的操作。在UVLO力量
驱动器输出为低电平状态为V
CC
从上升1.4 V
到5.8 V阈值上限。较低的UVLO阈值
是5.3 V，产生约500 mV的滞后。
功耗
助剂在该计算中，功率MOSFET的制造商
提供有关其数据表的栅极电荷信息。
图18示出栅极电压与栅极电荷的曲线
为安森美半导体MTM15N50 。请注意，有
三个不同的斜坡代表不同的曲线
输入电容的值。要完全切换
MOSFET “上， ”门必须受到10 V带
对于源。该图显示，一个栅极电荷
Q
g
110经营与MOSFET时NC是必需的
漏源电压V
DS
400 V.
16
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
MTM15B50
I
D
= 15 A
T
A
= 25°C
V
DS
= 100 V
V
DS
= 400 V
电路性能和长期可靠性都
加强与降低芯片温度。模具温度
增加直接相关的功率，该集成
电路必须消散和从总的热阻
结到环境。下式用于计算
结温度与包在自由空气中是：
T
J
= T
A
+ P
D
(R
qJA
)
其中：
T
J
=结温
T
A
=环境温度
P
D
功耗
R
qJA
=热阻结到环境
12
8.0
8.9 nF的
4.0
2.0 nF的
0
D
Q
g
C
GS
=
D
V
GS
40
80
120
Q
g
，栅极电荷（ NC）
160
0
有三个基本部件组成总
驱动容性负载时，功率耗散
相对于地面。他们是：
P
D
= P
Q
+ P
C + P
T
其中：
P
Q
=静态功耗
P
C
=容性负载功率耗散
P
T
=转换功率耗散
图18.栅极至源极电压
与栅极电荷
容性负载的功耗直接相关
所需要的栅极电荷和工作频率。该
每个驱动电容性负载的功耗为：
P
C（ MOSFET ）
= V
CC
Q
g
f
静态电源电流取决于
电源电压和占空比的图17中所示
器件的静态功耗为：
P
Q
= V
CC
(I
CCL
[1 -D] + I
CCH
[D])
其中：
I
CCL
=电源电流与低固态硬盘
输出
I
CCH
=电源电流与高固态硬盘
输出
D =输出占空比
容性负载功耗是直接相关的
负载电容值，频率和驱动输出
电压摆幅。每对容性负载的功耗
驱动程序是：
P
C
= V
CC
(V
OH
V
OL
) C
L
f
其中：
V
OH
V
OL
C
L
f
=
=
=
=
国家高驱动输出电压
低态驱动器输出电压
负载电容
频率
从10 NC的平坦区域55 NC是造成
漏极至栅极米勒电容，发生而
MOSFET在散热实质性的线性区
的功率。的高输出电流能力
MC34152是能够快速提供所需的门
充电快速高效的电源MOSFET的开关。通过
在更高的V操作MC34152
CC
，额外收费
可以提供使上述的10V。这将栅极
减少“接通” MOSFET的电阻为代价
高驱动耗散在一个给定的工作频率。
过渡功耗是由于极端
的内部电路节点短同时导
当驱动器输出改变状态。过渡电源
每个驱动器功耗大约是：
P
T
≈
V
CC
(1.08 V
CC
C
L
的F - 8 ×10
4
)
P
T
必须大于零。
电容式驾驶时的MOSFET ，运算
负载功率P
C
在某种程度上通过改变并发
栅源电容C
GS
作为设备的开关。对
在MC34152的开关时间是表征
有固定的容性负载进行。图14示出了
对于小的电容负载，开关速度是
限于通过晶体管的导通/关断时间和转换速率
内部节点。对于大电容负载，所述
开关速度由最大输出电流限制
集成电路的能力。
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