ISL9R860P2 ， ISL9R860S2 ， ISL9R860S3ST
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
和T
2
控制I
F
L
I
F
DUT
R
G
当前
SENSE
+
V
DD
-
0
0.25 I
RM
I
RM
dI
F
dt
t
a
t
rr
t
b
V
GE
t
1
t
2
MOSFET
图12吨
rr
测试电路
图13吨
rr
波形和定义
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
V
DD
= 50V
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q1
R
+
I
L
V
DD
DUT
-
t
0
t
1
t
2
t
I V
I
L
V
AVL
图14.雪崩能量测试电路
图15.雪崩电流和电压
波形
2004仙童半导体公司
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