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K4N51163QC-ZC
6.0输入/输出功能描述
符号
CK ， CK
TYPE
输入
功能
512M GDDR2 SDRAM
时钟：
CK和CK是差分时钟输入。 CMD ，输入地址进行采样的位置的交叉
CK和CK的下降沿略去边缘。输出（读取）数据为参考CK和CK的口岸
（两个交叉的方向） 。
时钟使能：
CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和输入设备
缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电掉电和自刷新操作
（所有银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。 CKE是同步进行断电进入
和出口，以及用于自刷新条目。 CKE是异步的自刷新退出。 CKE必须保持高
在整个读取和写入访问。输入缓冲器，但不包括CK ， CK和CKE是加电过程中禁用
下来。输入缓冲器，除CKE ，是在自刷新无效。
片选：
当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS为外部银行selec-
化上与多家银行系统。 CS被认为是命令代码的一部分。
片上终端：
ODT （注册HIGH ）使终端电阻内部的GDDR2
SDRAM 。当启用时， ODT仅施加到每个DQ ， UDQS / UDQS ， LDQS / LDQS ， UDM和LDM
信号为X16的配置。如果扩展模式寄存器（ EMRS ）是亲的ODT引脚将被忽略
编程禁用ODT 。
输入命令：
RAS ， CAS和WE （连同CS ）被定义输入的命令。
输入数据掩码：
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM采样输入数据被屏蔽
在写存取与输入数据的高重合。 DM进行采样DQS的两边。
虽然DM引脚的输入而已， DM负载相匹配的DQ和DQS装载。
银行地址输入：
BA0和BA1确定哪个银行的Actove ，读，写或预充电命令
被应用。 BA0还确定该模式寄存器或扩展模式寄存器将被访问能很好地协同
荷兰国际集团一MRS或EMRS周期。
地址输入：
所提供的行地址为有效的命令和列地址并自动预
充电位为读/写命令，以选择一个位置在各行的存储器阵列的。
一个预充电命令中的A10进行采样，以确定是否预充电适用于一个银行
（ A10 LOW）或所有银行（ A10 HIGH ） 。如果只有一家银行被预充电，该行被选中BA0 ，
BA1 。地址输入时也模式寄存器设置命令提供的操作码。
CKE
输入
CS
输入
ODT
RAS ， CAS ， WE
（ L） UDM
输入
输入
输入
BA0 - BA1
输入
A0 - A12
输入
DQ
输入/
数据输入/输出：
双向数据总线。
产量
数据选通：
输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读数据，集中在写
数据。 LDQS对应于DQ0 - DQ7数据; UDQS对应于DQ8 - DQ15数据。数据
输入/
频闪灯LDQS和UDQS可以使用在单端模式或配对可选补充显
产量
的NAL LDQS UDQS并提供差分对信号到系统中读取和写入操作。一
EMRS （ 1 ）控制位使能或禁止所有补充数据选通信号。
无连接：
无内部电气连接是否存在。
供应
DQ电源：
1.8V ± 0.1V
供应DQ地面
供应DLL电源： 1.8V ± 0.1V
供应DLL地面
供应
电源：
1.8V ± 0.1V
供应地
电源参考电压
LDQS ， （ LDQS ）
UDQS ， （ UDQS ）
NC / RFU
V
DDQ
V
SSQ
V
DDL
V
SSL
V
DD
V
SS
V
REF
- 6 -
修订版1.5 2005年10月
