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MBM29F033C
-70/-90/-12
RESET
硬件复位
该MBM29F033C设备可以通过驱动RESET引脚到V重置
IL
。 RESET引脚必须保持为低电平（ V
IL
)
为至少500毫微秒。任何操作过程中，将终止，内部状态机将被重置为
阅读模式后， 20毫秒的RESET引脚被拉低。如果在编程操作期间发生了硬件复位，
在该特定位置的数据将是不确定的。
当RESET引脚为低电平时，内部复位完成后，设备进入待机模式，并不能
访问。另外请注意，所有的数据输出引脚为三态的复位脉冲的持续时间。一旦
RESET引脚为高电平时，设备需要吨
RH
唤醒时间纳秒，直到输出是有效的读访问。
RESET引脚可连接到系统复位输入。因此，如果在嵌入式系统复位时
编程或擦除算法，该装置会自动复位到读模式，这将使系统的
微处理器读取从Flash存储器的引导固件。
数据保护
该MBM29F033C的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的杂散
系统级的信号，可能在电源转换存在。上电时，设备会自动复位
内部状态机在读取模式。另外，对于其控制寄存器结构，变更存储器的
内容只对特定的多总线周期的命令序列成功完成之后发生。
该器件还集成了多项功能以防止V造成无意的写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
比V
LKO
（典型地3.7 V） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有内部程序/擦除电路
被禁用。在此条件下的器件将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到
在V
CC
电平大于V
LKO
。这是用户的责任，以确保控制引脚在逻辑上是正确的
当防止无意识V
CC
高于3.2 V.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）的OE脉冲噪声，CE ，否则我们将不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
，CE = V
IH
或WE = V
IH
。要启动一个写周期CE和WE
必须是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
上电设备与WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位到上电时读取模式。
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