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ETR onTech
4Mx16 DDR SDRAM
EM658160
图8.自动预充电后读突发
（ CAS延时= 3 ）
CK
/ CK
t
RP
BL=2
CMD
READA
自动预充电
法案
DQ
D0 D1
t
RP
BL=4
CMD
READA
自动预充电
法案
DQ
D0 D1 D2
D3
t
RP
BL=8
CMD
READA
自动预充电
法案
DQ
D0
D1 D2
D3 D4 D5 D6
D7
钰创机密
19
修订版1.1
2002年1月
