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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / SST89E54RD2 / SST89E58RD2 / SST89E516RD2
SST89V52RD2 / SST89V54RD2 / SST89V58RD2 / SST89V516RD2
初步规格
4.0 FLASH存储器编程
该器件内部闪存进行编程或
使用以下两种方法擦除：
外部主机编程模式
在应用编程（ IAP ）模式
逻辑高电平为逻辑低电平，同时RST输入正在举行CON-
tinuously高。该设备将留在外部主机模式
只要RST = 1和PSEN ＃ = 0 。
一个读ID操作是必要的“手臂”的装置
在外部主机模式，并没有其他外部主机模式的COM
mands可以启用，直到读ID进行。在
外部主机模式，内部闪存块
通过重新分配的I / O端口引脚访问（见图
4-1了解详细信息）由外部主机，如单片机编程
聚体，印刷电路板测试仪或PC机控制开发板。
SST89E/V5
X
RD2
P3[7]
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
P3[6]
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
P2[7]
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
P2[6]
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
P0[7:0]
DO
X
X
X
DI
DO
X
X
X
X
X
X
P3[5:4]
P2[5:0]
AH
X
A[15:13]
4.1外部主机编程模式
外部主机编程模式允许用户亲
直接克闪存存储器，而不使用CPU 。
外部主机模式是通过迫使PSEN ＃从进入
表
手术
读ID
芯片擦除
块擦除
扇区擦除
字节编程
字节验证（阅读）
Prog-SC0
Prog-SC1
Prog-SB1
Prog-SB2
Prog-SB3
启用时钟，双
4-1: E
XTERNAL
H
OST
M
ODE
C
OMMANDS
RST
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
V
IH1
PSEN ＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
PROG ＃ /
ALE
V
IH
1
V
IH
为
EA ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
V
IH
P1[7:0]
AL
X
X
AL
AL
AL
X
X
X
X
X
X
T4-1.0 1255
AH
AH
AH
5AH
AAH
X
X
X
55H
1.符号
表示一个负脉冲，并在PROG ＃ / ALE输入的低电平状态的命令是断言。
上述输入引脚的所有其他组合是无效的，并可能导致意外行为。
注意：
V
IL
=输入低电压;
V
IH
=输入高电压;
V
IH1
=输入高电压（ XTAL ， RST ） ; X =无关; AL =地址低字节;
AH =地址高字节; DI =数据输入; DO =数据输出; A [ 15:13 ] = 0xxb座0和A [ 15:13 ] = 111B座1
2004硅存储技术公司
S71255-00-000
3/04
35
