2003年3月
FDS4770
FDS4770
40V N沟道的PowerTrench
MOSFET
概述
这N沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。它已被优化为
低栅极电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
13.2 A， 40 V
DS （ ON）
= 10.5毫欧@ V
GS
= 10 V
低栅极电荷（ 30 NC）
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力
应用
DC / DC转换器
D
D
D
D
SO-8
D
D
D
D
5
6
7
4
3
2
1
销1
SO-8
G
S
G
S
S
S
S
S
T
A
=25
o
C除非另有说明
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
40
±
20
（注1A ）
单位
V
V
A
W
13.2
45
2.5
1.4
1.2
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1C ）
（注1 ）
50
125
25
° C / W
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4770
设备
FDS4770
带尺寸
13’’
胶带宽度
11mm
QUANTITY
2500台
2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4770版本B （ W）
