DS2720
过电压。
如果检测的电池电压在V
DD
超过过压阈值V
OV
长的时期内
比过电压延时T
OVD
，则DS2720关断外部充电FET，并将在OV标志
保护寄存器。过电压放电过程中启用的遗体。充电FET被重新启用
（除非另外保护条件阻止的话），当电池电压低于充电使能
阈值V
CE
或放电导致V
DD
- V
PLS
＆ GT ; V
OC
.
欠压。
如果检测的电池电压在V
DD
低于欠压阈值V
UV
为一个周期
比欠压延时T更长
UVD
，则DS2720关闭充电和放电FET ，设置紫外线
标志保护寄存器，并进入睡眠模式。则DS2720接通充电和放电都
场效应晶体管的电池电压上升到高于V后面
UV
由于充电器的存在。
短路。
如果检测的电池电压在V
DD
低于放电阈值V
SC
为一个周期t的
SCD
,
则DS2720关闭充电和放电FET，并将保护寄存器的DOC标志。该
通过充电和放电FET电流通路不会重新建立直到PLS上的电压上升
上述V
DD
- V
OC
。 DS2720提供的测试电流通过内部电阻R
TST
从V
DD
至PLS到
拉PLS当V
DD
上升超过V
SC
。测试电流DS2720利用检测消除的
违规的低阻抗负载。此外，通过研究恢复电荷路径
TST
从PLS到V
DD
is
启用。
过流。
如果整个保护FET的电压（V
DD
- V
PLS
）大于V
OC
为一个周期
于T长
强迫症
，则DS2720关断外部充电和放电FET，并将在DOC标志
保护寄存器。电流通路不会重新建立直到PLS上的电压升至大于V
DD
-
V
OC
。 DS2720提供的测试电流通过内部电阻R
TST
从V
DD
至PLS检测
拆除违法低阻抗负载。
过热。
如果器件的温度超过T
最大
时， DS2720立即关断
外部放电和充电场效应晶体管。在FET不会导通，直到电池温度下降
低于T
最大
并且主机将OT复位。
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