1998年4月

FDP6035L/FDB6035L

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些N沟道逻辑电平增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻。这些设备特别适合

对于低电压应用，如直流/直流转换器和

高效率的开关电路中快速切换，低

在线需要的功率损耗，以及抗瞬变。

特点

58 A， 30 V

DS （ ON）

= 0.011

@ V

GS

=10 V

R

DS （ ON）

= 0.019

@ V

GS

=4.5 V

.

低栅极电荷（典型的34 NC） 。

低的Crss （典型值175 pF的） 。

快速开关速度。

________________________________________________________________________________

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

T

C

= 25 ° C除非另有说明

FDP6035L

30

±20

58

175

75

0.5

-65 175

FDB6035L

单位

V

V

A

最大功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

W

W / ℃，

°C

T

J

,T

英镑

R

θ

JC

R

θJA

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

2

62.5

° C / W

° C / W

1998仙童半导体公司

FDP6035L Rev.B的