ADMCF341
特殊的Flash寄存器
22pF
CLKOUT
XTAL
10MHz
CLKIN
22pF
闪存模块有四个非易失8位寄存器，称为
特殊的闪光寄存器（SFR ）是可访问的独立
主要的闪存阵列，通过flash编程工具。这些
寄存器是用于通用的，非易失性的存储。当
擦除，特殊闪光寄存器包含全0 。读特殊
从用户程序存储器寄存器，调用read_reg程序
存储在ROM中。参阅
ADMCF34x DSP电机的
控制器开发人员参考手册
为一个例子。
引导启动闪存代码
ADMCF341
RESET
图4.系统基本配置
时钟信号
一个安全特征是在一个代码的形式提供的，当
集，导致在闪光灯执行程序的处理器
存储器在上电或复位。在这种模式下，闪光编程
明公用事业和调试器无法与沟通
ADMCF341 。闪速存储器的结果，内容
既不能被编程，也不读。
在引导启动闪存代码可以通过flash编程设置
实用工具，当用户的程序彻底的测试和加载
到闪存程序存储器的地址0x2200 。用户的程序
必须有一个机制来清除引导启动闪码
如果重新编程闪速存储器是需要的。以唯一的办法
清晰的引导启动闪光灯从用户程序中，通过调用
中所包含的所述flash_init或auto_erase_reg例程
只读存储器。用户程序必须以某种方式来调用被发信号
必要的程序来清除引导启动闪存代码。一
例子是在检测到一个高电平上的PIO引脚
启动初始化，然后调用flash_init或auto_erase_reg
例程。该flash_init程序将删除整个用户程序
闪存之前清除引导启动闪存代码，从而
确保用户程序的安全性。如果安全不是一个
关注， auto_erase_reg例程可用于清除
引导启动闪存的代码，同时使用户程序不变。
参阅
ADMCF34x DSP电机控制器开发人员为参考
ENCE手册
为进一步说明和使用的一个例子
引导启动闪存代码。
闪存程序BOOT SEQUENCE
该ADMCF341可以由晶体或与TTL时钟源或者
兼容的时钟信号。正常操作下，CLKIN
输入不能停止，操作过程中发生变化，或经营
下面的特定网络版的最低频率。如果使用外部时钟是
使用时，应与TTL兼容的信号运行一半
指令速率。该信号被连接到CLKIN引脚
该ADMCF341 。在此模式下，外部时钟信号，
在XTAL引脚必须悬空。该ADMCF341用途
输入时钟的频率等于一半的指令
率;一个10 MHz的输入时钟产生50 ns的处理器周期（这
相当于20兆赫） 。通常情况下，指令执行
在单个处理器周期。所有设备的定时是相对于
内部指令速度，这是由CLKOUT的指示
当启用信号。
由于ADMCF341包括一个片上振荡器馈
回电路，可以使用一个时钟的外部晶体代替
源，如示于图4的晶体的连接
整个CLKIN和XTAL引脚，两个电容为
在图4的并联谐振，基频表示，
微处理器级晶振应该使用。时钟输出
信号（CLKOUT ），由处理器在所生成的
输入频率两倍的处理器周期率。
RESET
在上电或复位时，处理器开始指令execu-
化的内部程序ROM的地址为0x0800 。该ROM
位于有监控程序检查启动从 -
闪存代码。如果该码设置，处理器跳转到的位置
0x2200在外部闪存程序存储器，它希望
科幻ND用户的应用程序。
如果引导启动闪光代码没有被设置时，监视器将尝试
从如在所描述的外部装置的启动
ADMCF34x
DSP电机控制器开发人员参考手册。
系统接口
该ADMCF341 DSP内核和外设必须正确
当设备被加电，以确保正确复位unitiza-
化。该ADMCF341包含一个集成的上电复位
（ POR）电路，提供了一个完整的系统复位在上电
和断电。上电复位电路监视的电压
在ADMCF341 VDD引脚并保持DSP内核和外设
数常量在复位时VDD电压低于阈值电压电平，
VRST 。当该电压被超过时， ADMCF341被保持
在复位额外216 DSP时钟周期（T
RST
在图 -
URE 5 ） 。在这段时间（T
RST
） ，电源电压必须达到
推荐的操作条件。在断电时
VDD引脚上的电压低于V
RST
–V
HYST
中，
ADMCF341将被复位。此外，如果外部
RESET
引脚
积极拉低随时上电后，一个完整的硬
被启动ADMCF341的洁具复位。
V
RST
V
DD
图4示出了ADMCF341一个基本系统配置
与外部晶振。
V
RST -
V
HYST
T
RST
RESET
图5.上电复位操作
–10–
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