调谐变容二极管
塑料封装，表面贴装超突变调谐变容二极管
塑料包装，表面贴装超突变
调谐变容二极管
描述
这一系列的硅调谐变容二极管组成的超突变外延设备。他们结合
一个台面钝化技术。该系列专为低成本中到大批量市场
可在磁带和卷轴表面上提供了自动取放和组装安装电路板。
应用
该DH76000和DH77000系列超突变调谐变容二极管提供了多种选择的
电容范围。它们提供了最高的Q因数（低反向串联电阻） 。典型
应用包括低噪声窄，中等带宽的应用（主要是VCO ）
从高频到微波频率（高达3 GHz ） 。其他应用是电压调整滤池，相
移位器，延时线...
20伏超突变结变容二极管
特点@ TA = + 25℃
反向击穿电压， VB = 20 V分钟。 @ 10 μA
反向电流IR = 200 nA的@ 16 V
总电容（ pF）的
Ct
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
VR = 4 V
VR = 12 V
±20 %
典型值。
1.2
0.6
1.7
0.8
2.4
1.1
3.5
1.6
4.9
2.2
7.0
3.1
10.0
4.5
15.0
6.6
温度范围：
工作结（ TJ ） ： -55°C至+ 125°C
储存： -55°C至+ 150°C
调音
比
CT1V / Ct12V CT1V / Ct20V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
典型值。
典型值。
4.1
4.9
4.4
5.4
4.7
5.8
4.9
6.1
5.0
6.4
5.1
6.5
5.2
6.7
5.2
6.8
TEST
条件
TYPE
DH76010
DH76015
DH76022
DH76033
DH76047
DH76068
DH76100
DH76150
F = 1 MHz的
VR = 1V
典型值
2.5
3.6
5.2
8.0
11.0
16.0
23.0
35.0
F = 1 MHz的
VR = 20 V
典型值。
0.5
0.7
0.9
1.3
1.7
2.4
3.5
5.1
12伏超突变结变容二极管
特点@ TA = + 25℃
反向击穿电压， VB = 12 V最小。 @ 10 μA
反向电流IR = 200 nA的@ 8 V
总电容（ pF）的
Ct
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
VR = 2.5 V
VR = 4 V
±20 %
典型值。
3.5
4.9
7.0
10.0
15.0
1.9
2.7
3.8
5.5
8.1
温度范围：
工作结（ TJ ） ： -55°C至+ 125°C
储存： -55°C至+ 150°C
调音
比
CT1V / Ct2.5V CT1V / Ct4V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
典型值。
典型值。
1.7
1.7
1.7
1.7
1.8
3.1
3.2
3.2
3.2
3.3
TEST
条件
TYPE
DH77033
DH77047
DH77068
DH77100
DH77150
F = 1 MHz的
VR = 1V
典型值
6.0
8.5
12.0
18.0
27.0
1-36
销售处：请访问我们的网站：
http://www.temex.net
