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宽带4 GHz的36 dB的隔离在1 GHz ，
CMOS 1.65 V至2.75 V，双SPDT
ADG936/ADG936-R
特点
宽带开关： -3分贝@ 4GHz的
ADG936吸收型双SPDT
ADG936 -R反射双SPDT
高关断隔离（36 dB的1千兆赫）
低插入损耗（ 0.9分贝DC至1 GHz ）
单1.65 2.75 V电源
CMOS / LVTTL控制逻辑
20引脚TSSOP和4mm ×4 mm LFCSP封装
低功耗（最大1μA ）
功能方框图
RF1A
射频消融
50
RF2A
INA
INA
RF2A
射频消融
RF1A
ADG936
50
RF1B
ADG936-R
RF1B
RFCB
应用
无线通信
通用RF开关
双频段应用
高速过滤器选择
数码收发器前端开关
IF开关
调谐器模块
天线分集开关
RFCB
50
RF2B
INB
50
04503-0-001
RF2B
INB
04503-0-012
图1 。
图2中。
概述
该ADG936 / ADG936 -R的宽带模拟交换机
包括使用两个可独立选择的SPDT开关
CMOS工艺，提供高隔离度和低插入损耗
到1 GHz 。该ADG936是一款吸收/匹配双SPDT
与50 Ω端接分流的双腿;该ADG936 - R是反射
双SPDT 。这些设备被设计成使得所述隔离
高在DC至1 GHz的频率范围内。它们具有板上
CMOS控制逻辑，从而消除了对外部
控制电路。控制输入是CMOS和
–10
–20
–30
断隔离度（dB ）
LVTTL兼容。这些低功耗
CMOS器件，使它们非常适用于无线
应用程序和通用型高频开关。
产品亮点
1.
2.
3.
-36 dB的关断隔离@ 1 GHz的。
0.9分贝插入损耗@ 1 GHz的。
20引脚TSSOP和4mm ×4 mm LFCSP封装。
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
–0.7
–0.8
–0.9
–1.0
–1.1
–1.2
–1.3
–1.4
–1.5
–1.6
–1.7
–1.8
–1.9
–2.0
–2.1
–2.2
–2.3
–2.4
–2.5
–2.6
–2.7
–2.8
–2.9 T
A
= 25°C
–3.0
10k
100k
V
DD
= 2.5V
T
A
= 25°C
–40
–50
–60
–70
–80
10k
S12
插入损耗（dB ）
V
DD
= 2.5V
S21
04503-0-019
100k
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
1M
10M
100M
频率（Hz）
1G
10G
图3.关断隔离与频率的关系
图4.插入损耗与频率
第0版
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