DG534A/538A
Vishay Siliconix公司
测试电路
+15 V
+
10
mF
+5 V
V+
EN
V
L
RS
A
0
, A
1
, A
2
8/4
or
4/2
GND
D
A
D
B
I / O
V–
S
A1
S
B1
S
A2
– S
Bn
100 nF的
逻辑输入
t
r
<20 NS
t
f
<20 NS
3V
0V
50%
90%
S
1
关闭
BBM间隔
V
O
转换时间
(t
TRANS
)
V
OUT
S
16
打开
A
0
, A
1
, A
2
+1 V
逻辑
输入
WR
1 KW
+
10
mF
–3 V
100 nF的
45 pF的
图4中。
转换时间和休息前先间隔
+15 V
+5 V
+
10
mF
V
L
A
0
, A
1
, A
2
， RS
S
Bn
EN
D
A
WR
I / O
V–
V+
100 nF的
EN
D
B
V
O
C
L
= 1000 pF的
V
OUT
DV
OUT
8/4
or
4/2
GND
DV
OUT
是测量电压错误，由于
电荷注入。电荷注入在Cou-
lombs为Q = C
L
x
DV
OUT
+
10
mF
100 nF的
–3 V
图5中。
电荷注入
文档编号： 70069
S- 05734 -REV 。 G， 29 -JAN- 02
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