DG535/536
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
逻辑输入开关阈值
与电源电压（V + ）
10
9
8
7
I+ (
m
A)
V TH （ V）
6
5
4
3
2
2
1
0
8
10
12
14
16
18
V + - 正电源（ V）
0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
V + - 正电源（ V）
GND = 0 V
T
A
= 25_C
14
12
10
125_C
8
25_C
6
4
–55_C
GND = 0 V
电源电流与
电源电压和温度
1毫安
100 nA的
I
D（上）
与温度的关系
1
mA
V+ = +15 V
GND = 0 V
V
D
= V
S
= 3 V
I S ， I D - 漏
100 nA的
漏电流与温度的关系
V+ = +15 V
GND = 0 V
I
D（关闭）
I
S（ OFF）
1 nA的
I D （上） - 泄漏
10 nA的
10 nA的
1 nA的
100 pA的
100 pA的
10 pA的
10 pA的
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
1 pA的
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105 125
温度（℃）
温度（℃）
相邻输入串扰与频率的关系
–120
DG536
R
IN
= 10
W
–4
0
-3 dB带宽插入损耗与频率
–100
DG536
X TALK （ AI ） （分贝）
–80
DG536
R
IN
= 75
W
插入损耗（dB ）
–8
的-3 dB点
–12
测试电路
参见图6
R
L
= 50
W
–60
DG535
R
IN
= 10
W
–40
–16
–20
测试电路
见图10
–20
0.1
1
10
100
1
DG535
0
的F - 频率（MHz ）
10
100
1000
的F - 频率（MHz ）
文档编号： 70070
S- 02315 -REV 。 D， 05 - OCT- 00
www.vishay.com
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