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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 C
V
DS
= 200 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
=125 C
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V;
BUK555-200A
BUK555-200B
I
D
= 7 A
分钟。
200
1.0
-
-
-
-
-
BUK555-200A/B
典型值。
-
1.5
1
0.1
10
0.2
0.24
马克斯。
-
2.0
10
1.0
100
0.23
0.28
单位
V
V
A
mA
nA
动态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 7 A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V ;我
D
= 3 A;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
R
根
= 50
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
分钟。
8.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
15
1600
180
55
25
45
140
40
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
2000
250
80
40
75
180
55
-
-
-
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
反向二极管极限值和特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
-
-
I
F
= 14 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 14 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
1.0
200
0.25
马克斯。
14
56
1.5
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 14 A; V
DD
≤
100 V ;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
100
单位
mJ
1993年4月
2
启1.100
