DCR1008SF
100000
10000
I
T
Q
S
t
p
= 1.6ms
的di / dt
I
RM
100
脉冲宽度
s
100
200
500
1ms
10ms
频率Hz
50
150
150
150
150
20
100
150
150
150
50
-
400
150
125
100
25
-
表中给出了脉冲功率P
GM
在瓦
10
0W
50
W
20
W
10
5W
W
总存储电荷Q
S
- (C)
10000
马克斯。 Q
S
分钟。 Q
S
马克斯。我
RR
分钟。我
RR
1000
反向恢复电流，I
RR
- (A)
门极触发电压，V
GT
- (V)
10
pe
Up
1
i
LIM
t 95
%
1000
100
T
j
= 125C
V
GD
低
条件：
T
j
≤ 125 ° C，I
T
= 3000A
100
0.1
1.0
10
10
100
0.1
0.001
0.01
e
i
LIM
t 5%
0.1
T
j
= 25C
T
j
= -40C
某些地区
触发
1
10
率通态电流的di / dt的衰减 - （ A / μs）内
门极触发电流，I
GT
- (A)
图4存储电荷
0.1
图5门特点
40
I
2
t =
2
x深
2
峰值半正弦波通态电流 - （ KA）
阳极侧冷却
传导
热阻
结到外壳C / W
双面
0.022
0.024
0.026
0.027
阳极侧
0.038
0.040
0.042
0.043
热阻抗 - 结到外壳 - （ C / W ）
特区
半波
三相120
6相60
30
双侧冷却
0.01
20
700
650
I
2
吨价 - （A
2
s ×10
3
)
600
10
I
2
t
550
500
0.001
0.001
0.01
0.1
时间 - （多个）
1.0
10
0
1
ms
10
1
2 3 45
10
450
20 30 50
周期为50Hz
长短
图6瞬态热阻抗 - 结到管壳
图7浪涌（非重复）通态电流与时间（与
50% V
RRM
在T
例
= 125C)
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