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AD6640–SPECIFICATIONS
DC特定网络阳离子
（ AV
参数
决议
准确性
无失码
偏移误差
增益误差
微分非线性（ DNL ）
1
积分非线性（ INL ）
1
温度漂移
偏移误差
增益误差
电源抑制比（ PSRR ）
参考输出（V
REF
)
2
模拟输入（ AIN ，
AIN ）
3
模拟输入共模范围
4
迪FF erential输入电压范围
差分输入电阻
差分输入电容
电源
电源电压
AV
CC
DV
CC
电源电流
IA
VCC
（ AV
CC
= 5.0 V)
ID
VCC
（ DV
CC
= 3.3 V)
耗电量
+25°C
满
满
+25°C
满
满
满
满
满
满
满
满
+25°C
I
VI
VI
I
V
V
V
V
V
V
V
IV
V
CC
= +5 V， DV
CC
= + 3.3V ;牛逼
民
= -40 C，T
最大
= +85 C)
温度
TEST
水平
民
AD6640AST
典型值
12
保证
3.5
4.0
±
0.5
±
1.25
50
100
±
0.5
2.4
V
REF
±
0.05
2.0
0.9
1.5
最大
单位
位
–10
–10
–1.0
+10
+10
+1.5
mV
％ FS
最低位
最低位
PPM /°C的
PPM /°C的
mV / V的
V
V
V P-P
k
pF
0.7
1.1
满
满
满
满
满
VI
VI
VI
VI
VI
4.75
3.0
5.0
3.3
135
10
710
5.25
5.25
160
20
865
V
V
mA
mA
mW
笔记
1
ENCODE = 20 MSPS
2
如果V
REF
被用来提供一个直流偏移到其它电路时，应先进行缓冲。
3
的AD6640被设计为差分驱动。无论AIN和
艾因
应在各级V驱动
REF
±
0.5伏。的输入信号应当是180度异相来
产生2V的峰 - 峰值的差分输入信号。见驾驶模拟输入部分更多的细节。
4
模拟输入共模范围指定的偏移范围的模拟输入可在直流耦合应用中（参见图35更详细）容忍。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
.
数码特定网络阳离子
（ AV
参数
逻辑输入（ ENC ，
ENC ）
编码输入共模范围
2
差分输入电压
单端ENCODE
逻辑兼容性
3
逻辑“1”的电压
逻辑“0”电压
逻辑“1”电流（Ⅴ
INH
= 5 V)
逻辑“0”电流（Ⅴ
INL
= 0 V)
输入电容
1
CC
= +5 V， DV
CC
= + 3.3V ;牛逼
民
= -40 C，T
最大
= +85 C)
温度
满
满
满
满
满
满
+25°C
TEST
水平
IV
IV
VI
VI
VI
VI
V
民
0.2
0.4
TTL / CMOS
2.0
0
500
–400
650
–320
2.5
CMOS
DV
CC
– 0.2
0.2
DV
CC
– 0.3
0.35
二进制补码
5.0
0.8
800
–200
V
V
A
A
pF
AD6640AST
典型值
最大
2.2
10
单位
V
V P-P
V P-P
逻辑输出（ D11 - D0 ）
4
逻辑兼容性
逻辑“1”的电压（ DV
CC
= +3.3 V)
逻辑“0”电压（ DV
CC
= +3.3 V)
逻辑“1”的电压（ DV
CC
= +5.0 V)
逻辑“0”电压（ DV
CC
= +5.0 V)
输出编码
满
满
满
满
VI
VI
IV
IV
2.8
4.5
0.5
0.5
V
V
V
V
笔记
1
通过驱动ENC并获得最佳的动态性能
ENC
差异。详细信息请参见编码AD6640部分。性能与ENC / ENC电源
在典型性能特性如图18所示。
2
对于直流耦合应用中，编码输入共模范围指定由最小差分驱动时的共模电压范围的编码输入可承受
的0.4伏峰 - 峰值的差分输入电压。对于差动输入电压摆动大于0.4 V pp的，所述共模范围也会发生变化。最小值保证了
无论是编码引脚上的输入电压不低于0 V.最大值确保了无论是编码引脚上的输入电压不低于2.0 V或以上AV
CC
（例如
对于0.8 V的差分输入摆幅，最小和最大共模规格分别成为0.4 V和2.4 V ） 。
3
ENC或
ENC
可被驱动独自如果需要的话，但是性能可能会降低。提供逻辑兼容规格表明TTL或CMOS时钟源
会工作。当驱动只有一个编码输入，绕过互补输入至GND 0.01
F.
4
数字输出负载是LCX门。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
