PD57002
PD57002S
射频功率晶体管
该
LDMOST
塑料系列
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 2 W 15 dB增益@ 960兆赫/ 28 V
新的RF塑料包装
PowerSO-10RF
（形成铅）
描述
该PD57002是一种常见的源N沟道，恩
hancement模式横向场效应RF功率
晶体管专为宽带商业和
高达1000工业应用的频率
兆赫。该PD57002是专为高增益和
宽带性能的常用操作
源模式在28 V.它非常适合于数字蜂窝
BTS应用中需要高线性度。
该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的
FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，
高功率SMD封装。它已专门
射频需求进行了优化，提供卓越的RF
性能和易于组装。
订货编号
PD57002
BRANDING
PD57002
PowerSO-10RF
（直引线）
订货编号
PD57002S
BRANDING
PD57002S
安装建议在使用
www.st.com/rf/
（查找应用笔记AN1294 ）
绝对最大额定值（T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70 ° C）
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
65
±
20
0.25
4.75
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结-Case热阻
20
° C / W
三月， 7 2003
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