位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第256页 > UPD444008LE-10 > UPD444008LE-10 PDF资料 > UPD444008LE-10 PDF资料1第1页
数据表
MOS集成电路
PD444008
4M位CMOS快速SRAM
512K -字×8位
描述
该
PD444008是一种高速，低功耗， 4,194,304位（ 524,288字由8位）的CMOS静态RAM 。
工作电源电压为5.0 V
±
0.5 V.
该
PD444008封装采用36引脚塑料SOJ 。
特点
524,288字由8位机构
快速访问时间： （ MAX ） 8 ， 10 ， 12纳秒
输出使能输入，方便应用
单+5.0 V电源
订购信息
产品型号
包
存取时间
NS （ MAX 。 ）
供应电流mA （最大值）
在工作
200
180
170
在待机状态
10
PD444008LE-8
PD444008LE-10
PD444008LE-12
36引脚塑料SOJ
(10.16 mm (400))
8
10
12
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M14428EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1999
