NTD25P03L
功率MOSFET
-25 ， -30 V，逻辑电平P通道
DPAK
设计用于低电压，高速开关应用，并
在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。该
源 - 漏二极管恢复时间是可比的离散快
恢复二极管。
典型应用
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
51毫瓦@ 5.0 V
D
I
D
最大
25 A
PWM电机控制
电源
转换器
桥电路
无铅包装是否可用
P- CHANNEL
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（ TP
≤
10毫秒）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 单脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度
范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 25伏，V
GS
= 5.0伏，
峰值I
L
= 20 APK ， L = 1.0 mH的，
R
G
= 25
W)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境（注1 ）
- 结到环境（注2 ）
最大无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
DSS
V
GS
V
GSM
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
"15
"20
25
75
75
-55
+150
200
单位
V
V
VPK
A
APK
瓦
°C
mJ
1 2
3
DPAK
CASE 369C
（表面贴装）
方式2
4
YWW
25P
03L
2
1
3
漏
门
来源
4
漏
1
° C / W
R
QJC
R
qJA
R
qJA
T
L
1.65
67
120
260
°C
YWW
25P
03L
1 2 3
门漏源
航运
75单位/铁
75单位/铁
75单位/铁
2500 /磁带&卷轴
出版订单号：
NTD25P03L/D
包
DPAK
DPAK
（无铅）
DPAK
直引线
DPAK
4
S
标记DIAGRAMS
4
漏
3
DPAK
CASE 369D
（直引线）
方式2
25P03L
器件代码
Y
=年
WW
=工作周
2
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.当表面安装用0.5平方垫尺寸为FR4板。
2.表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸。
订购信息
设备
NTD25P03L
NTD25P03LG
NTD25P03L1
NTD25P03LT4
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
