NTD25P03L
典型MOSFET的电气特性
50
V
GS
= 10 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
9V
40
7V
8V
4.5 V
6V
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
≥
5 V
40
T
J
= 25°C
5V
T
J
= 40°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
30
30
20
4V
3.5 V
20
10
0
0
1
2
3
4
3V
2.5 V
5
10
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.3
V
GS
= 5 V
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
T = -40°C
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
T = 125°C
中T = 25℃
0.01
T
J
= 25°C
0.075
V
GS
= 5 V
0.05
V
GS
= 10 V
0.025
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
和温度
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极电阻
（归一化）
1.6
I
D
= 12.5
V
GS
= 5 V
10,000
图4.导通电阻与漏电流
与栅极电压
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1.4
1000
T
J
= 150°C
1.2
1
T
J
= 125°C
100
0.8
0.6
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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