HCS273MS
1995年9月
抗辐射
八路D触发器
引脚配置
20引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装（ SBDIP ）
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T20 ，铅涂层
顶视图
MR
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 VCC
19 Q7
18 D7
17 D6
16 Q6
15 Q5
14 D5
13 D4
12 Q4
11 CP
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD （SI ）
SEP有效LET没有冷门： >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转（ SEU ）免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日（典型值）
剂量率生存能力： >1 ×10
12
RAD （SI ） / S
剂量率翻转>10
10
RAD （SI ） / s的20ns的脉冲
闭锁免费在任何条件
军用温度范围：-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围： 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
≤
5μA在VOL ， VOH
Q3
GND 10
描述
Intersil的HCS273MS是抗辐射的八路D FL IP- FL运，
上升沿触发，具有复位。
该HCS273MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射，高速， CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS273MS是在一个20引脚的陶瓷FL atpack提供
（K SUF网络X）或SBDIP封装（D SUF网络X） 。
MR
Q0
D0
D1
Q1
Q2
D2
D3
Q3
GND
20引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装（ FLATPACK ）
MIL- STD- 1835 CDFP4 -F20 ，铅涂层
顶视图
1
2
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10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
VCC
Q7
D7
D6
Q6
Q5
D5
D4
Q4
CP
订购信息
产品型号
HCS273DMSR
HCS273KMSR
HCS273D/Sample
HCS273K/Sample
HCS273HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
包
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
20铅SBDIP
20引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
336
518767
2475.3
