MCP3301
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V和V
REF
= 5V 。全差分输入
配置（图3-4 ），与2.5V的固定的共模电压。所有参数适用于以下温度
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
（注7） 。
转换速度（F
样品）
100 ksps的使用f
CLK
= 17*f
样品
参数
电源要求
工作电压
工作电流
待机电流
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
206
85
163
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+85
+150
°C
°C
°C
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
—
300
200
0.05
5.5
450
—
1
V
A
A
V
DD
,
V
REF
= 5V ，D
OUT
卸载
V
DD
, V
REF
= 2.7V ，D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该规范是由特征值，并未经过100％测试。
请参见转换器性能与V特性曲线
REF
的水平。
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的。
V
DD
= 5VDC ± 500 mV的
P
-
P
@ 1 kHz时，见测试电路如图3-3所示。
最大时钟频率规格必须满足。
V
REF
= 400 mV时， V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
MSOP封装器件仅在25 ° C和+ 85°C 。
对于较慢的采样速率，请参见第6.2.1节以获取有关时钟频率的限制。
.
t
CSH
CS
t
SUCS
t
HI
t
LO
CLK
t
EN
高阻
t
DO
t
R
签位
t
F
t
DIS
高阻
D
OUT
空位
最低位
图1-1：
时序参数
2002年Microchip的科技公司
DS21700B第5页
