TCM811/TCM812
2.0
应用信息
在TCM811 / TCM812提供准确V
DD
显示器 -
，并在上电，掉电复位时序和
掉电/凹陷的条件。这些器件还拒绝
负向瞬态脉冲干扰的电源支持
股线。图2-1显示了最大瞬态持续时间
化与最大负偏移（超速）的
瞬态抑制。持续时间和过的任何组合
驱动器是这样的曲线下不会产生复位
信号。曲线以上的组合被检测为
掉电或断电。瞬态抑制能力可
通过增加一个0.1 μF的电容密切proxim-改善
两者均在V
DD
引脚TCM811的/ 812 。
（100 kΩ将适用于大多数的应用程序） 。西米
larly ，一个上拉电阻到V
DD
是必需的
TCM812 ，以确保有效的高RESET为V
DD
下面
1.1V.
V
DD
4
0.1F
V
DD
TCM811
2
RESET
R
1
100 k
V
DD
GND
V
TH
高速模式=
V
D D
1
长短
最大瞬态持续时间（微秒）
图2-2：
加的R
1
在RESET
在TCM811的输出保证了RESET输出
有效期至V
DD
= 0V.
400
T
A
= +25C
2.2
控制器和处理器
双向I / O引脚
320
240
160
TCM81xL/M
80
TCM81xR/S/T
0
1
10
1000
100
复位比较OVERDRIVE ，
VTH - VDD （MV ）
某些单片机具有双向复位引脚。
根据不同的控制 - 的电流驱动能力
LER针，一个不确定的逻辑电平可能会导致如果有
是一个逻辑冲突。这可避免通过添加
4.7 kΩ电阻串联在TCM811的输出/
TCM812 （图2-3） 。中是否有其它组分
这需要一个复位信号的系统，它们应
缓冲以免加载复位线。如果有其它
组件必须遵守复位的I / O
微控制器，缓存的连接方式如
所示的实线表示。
缓冲器复位
其它系统
组件
卜FF器
V
DD
4
0.1F
TCM811
4.7 k
RESET
GND
1
2
RESET
GND
微
调节器
图2-1：
最大瞬态持续时间
毛刺抑制过激励，在25 ℃。
与
2.1
复位信号的完整性关断模式
下
在TCM811 RESET推挽输出仍有效V
DD
=
1.0V 。低于这个电压的输出变为"open
circuit" ，不能吸收电流。这意味着CMOS
逻辑输入到单片机将悬浮在一个
不确定电压。大多数数字系统的COM
处于关断状态远高于此电压。但是，在
其中， RESET必须保持有效的情况下，
V
DD
= 0V ，一个下拉电阻，必须从连接
复位到地杂散电容放电和
保持输出为低电平（见图2-2） 。这个电阻值，
虽然不是关键的，应选择为使得它
没有明显负载下正常操作复位
图2-3：
接口的TCM811到双
定向重设I / O 。
DS21615B第4页
2002年Microchip的科技公司
